IT之家 7 月 26 日消息，美光今天，宣布芯片美光公司宣布已开始量产全球首款 232 层 NAND，全球与前几代美光 NAND 相比，首款它具有业界最高的层T出货面密度，并提供更高的美光容量和更高的能效。

美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：“美光的宣布芯片 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，首次证明了将 3D NAND 扩展到 200 层以上的全球生产能力。”

官方表示，首款美光的层T出货 232 层 NAND 技术实现业界最快的 NAND I / O 速度：每秒 2.4 GB，比美光 176 层 NAND 快 50%。美光美光的宣布芯片 232 层 NAND 实现了有史以来最高的每平方毫米 TLC 密度：14.6 Gb/mm2。232 层 NAND 采用新的全球 11.5 毫米 x 13.5 毫米封装发货，其封装尺寸比美光前几代产品小 28%。首款

IT之家了解到，层T出货美光的 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产，最初将以组件形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

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